光・電子材料講座 (協力講座)
Photonic and Electronic Materials


本講座では、これからの光・電子技術に必要な光・電子材料の研究を半導体を中心に行っています。(1)必要とされる優れた特性をもつ新しい半導体(新しい組成、新しい量子構造)の材料設計、(2)設計した材料を作製するための、分子線を用いその場で作製物質を評価できる精密な結晶成長、プロセス技術の研究、(3)電子線、X線、光などを用いて物質・材料を評価し、その物性を明らかにする研究、(4)これらの材料を半導体レーザや高速計算素子など光・電子素子に応用する研究などを行っています。



主要研究テーマ
新特性、新機能を持つ全く新しい半導体の研究
 従来存在しなかった機能や特性をもつ全く新しい材料をつくることは、材料研究をやっている者にとって極めてチャレンジングなことです。このような材料として発光など光・電子特性に対する周囲温度の影響が極めて少ないと考えられるTlを含むIII-V族半導体を新たに開発しつつある。また、磁性を含むIII-V族半導体による新機能の探求を行っています。
新しいワイドバンドギャップ半導体の研究
今後必要とされる半導体は、高温など厳しい環境下で使える半導体、青色より短い波長の光を出せる半導体などバンドギャップの広い半導体です。このような半導体としてIII-V窒化物半導体を新しい視点で取り上げ、その作製法や物性の研究とともに新しい応用も考えています。
量子細線、量子箱など量子構造の作製と応用
今後の高性能な光素子や高速電子素子、メモリ素子を考えるとき周辺と異なる極微小な組成構造をもつ量子構造は重要な研究対象であるが、必要とされる制御された構造をもつ材料の作製は容易ではありません。ここでの研究ではInP/GaP系超格子に関係した自己形成法による量子箱構造を中心に新しい展開をはかっています。
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